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UV反轉(zhuǎn)曝光系統(tǒng)
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光照射裝置
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點(diǎn)光源曝光
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變壓型電源供應(yīng)器
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超高壓短弧汞燈
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UV光洗凈
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UV曝光裝置
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uv固化裝置
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紫外可見(jiàn)光光度計(jì)
超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測(cè)量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實(shí)時(shí)、高精度測(cè)量晶圓和樹(shù)脂
產(chǎn)品詳細(xì)信息
特點(diǎn)
-
非接觸式,非破壞性厚度測(cè)量
-
反射光學(xué)系統(tǒng)(可從一側(cè)接觸測(cè)量)
-
高速(*高5 kHz)實(shí)時(shí)評(píng)測(cè)
-
高穩(wěn)定性(重復(fù)精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強(qiáng)
-
可對(duì)應(yīng)任意距離
-
支持多層結(jié)構(gòu)(*多5層)
-
內(nèi)置NG數(shù)據(jù)消除功能
-
可進(jìn)行距離(形狀)測(cè)量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過(guò)測(cè)量測(cè)量范圍內(nèi)的光學(xué)距離
Point1:獨(dú)有技術(shù)
對(duì)應(yīng)廣范圍的薄膜厚度并實(shí)現(xiàn)高波長(zhǎng)分辨率。
采用大塚電子獨(dú)有技術(shù)制成緊湊機(jī)身。
Point2:高速對(duì)應(yīng)
即使是移動(dòng)物體也可利用準(zhǔn)確的間距測(cè)量,
是工廠生產(chǎn)線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對(duì)應(yīng)
從20微米的小斑點(diǎn)到
各種表面條件的樣品,都可進(jìn)行厚度測(cè)量。
Point4:各種環(huán)境都可對(duì)應(yīng)
因?yàn)?遠(yuǎn)可以從200 mm的位置進(jìn)行測(cè)量,
所以可根據(jù)目的和用途構(gòu)建測(cè)量環(huán)境。
測(cè)定項(xiàng)目
厚度測(cè)量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號(hào)
SF-3/200
SF-3/300
SF-3/1300
SF-3/BB
測(cè)量厚度范圍?
5~400
10~775
50~1300
5~775
樹(shù)脂厚度范圍?
10~1000
20~1500
100~2600
10~1500
*小取樣周期kHz(μsec)
5(200)※1
-
重復(fù)精度%
0.01%以下※2
測(cè)量點(diǎn)徑?
約φ20以上※3
測(cè)量距離mm
50.80.120※4.200※4
光源
半導(dǎo)體光源(クラス3B相當(dāng))
解析方法
FFT解析,*適化法※5
interface
LAN,I/O入輸出端子
電源
DC24V式樣(AC電源另行銷售)
尺寸mm
123×128×224
檢出器:320×200×300
光源:260×70×300
選配
各種距離測(cè)量探頭,電源部(AC用),**眼睛
鋁參考樣品,測(cè)量光檢出目標(biāo),光纖清理器
*1 : 測(cè)量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產(chǎn)品出貨基準(zhǔn)的保證值規(guī)格,是當(dāng)初基準(zhǔn)樣品AirGap約300μm和
約1000μm測(cè)量時(shí)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時(shí)的設(shè)計(jì)值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測(cè)量時(shí)使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構(gòu)成
測(cè)定例
貼合晶圓
Mapping結(jié)果
研削后300mm晶圓硅厚度
超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測(cè)量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實(shí)時(shí)、高精度測(cè)量晶圓和樹(shù)脂
產(chǎn)品詳細(xì)信息
特點(diǎn)
-
非接觸式,非破壞性厚度測(cè)量
-
反射光學(xué)系統(tǒng)(可從一側(cè)接觸測(cè)量)
-
高速(*高5 kHz)實(shí)時(shí)評(píng)測(cè)
-
高穩(wěn)定性(重復(fù)精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強(qiáng)
-
可對(duì)應(yīng)任意距離
-
支持多層結(jié)構(gòu)(*多5層)
-
內(nèi)置NG數(shù)據(jù)消除功能
-
可進(jìn)行距離(形狀)測(cè)量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過(guò)測(cè)量測(cè)量范圍內(nèi)的光學(xué)距離
Point1:獨(dú)有技術(shù)
對(duì)應(yīng)廣范圍的薄膜厚度并實(shí)現(xiàn)高波長(zhǎng)分辨率。
采用大塚電子獨(dú)有技術(shù)制成緊湊機(jī)身。
Point2:高速對(duì)應(yīng)
即使是移動(dòng)物體也可利用準(zhǔn)確的間距測(cè)量,
是工廠生產(chǎn)線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對(duì)應(yīng)
從20微米的小斑點(diǎn)到
各種表面條件的樣品,都可進(jìn)行厚度測(cè)量。
Point4:各種環(huán)境都可對(duì)應(yīng)
因?yàn)?遠(yuǎn)可以從200 mm的位置進(jìn)行測(cè)量,
所以可根據(jù)目的和用途構(gòu)建測(cè)量環(huán)境。
測(cè)定項(xiàng)目
厚度測(cè)量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號(hào)
SF-3/200
SF-3/300
SF-3/1300
SF-3/BB
測(cè)量厚度范圍?
5~400
10~775
50~1300
5~775
樹(shù)脂厚度范圍?
10~1000
20~1500
100~2600
10~1500
*小取樣周期kHz(μsec)
5(200)※1
-
重復(fù)精度%
0.01%以下※2
測(cè)量點(diǎn)徑?
約φ20以上※3
測(cè)量距離mm
50.80.120※4.200※4
光源
半導(dǎo)體光源(クラス3B相當(dāng))
解析方法
FFT解析,*適化法※5
interface
LAN,I/O入輸出端子
電源
DC24V式樣(AC電源另行銷售)
尺寸mm
123×128×224
檢出器:320×200×300
光源:260×70×300
選配
各種距離測(cè)量探頭,電源部(AC用),**眼睛
鋁參考樣品,測(cè)量光檢出目標(biāo),光纖清理器
*1 : 測(cè)量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產(chǎn)品出貨基準(zhǔn)的保證值規(guī)格,是當(dāng)初基準(zhǔn)樣品AirGap約300μm和
約1000μm測(cè)量時(shí)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時(shí)的設(shè)計(jì)值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測(cè)量時(shí)使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構(gòu)成
測(cè)定例
貼合晶圓
Mapping結(jié)果
研削后300mm晶圓硅厚度
超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測(cè)量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實(shí)時(shí)、高精度測(cè)量晶圓和樹(shù)脂
產(chǎn)品詳細(xì)信息
特點(diǎn)
-
非接觸式,非破壞性厚度測(cè)量
-
反射光學(xué)系統(tǒng)(可從一側(cè)接觸測(cè)量)
-
高速(*高5 kHz)實(shí)時(shí)評(píng)測(cè)
-
高穩(wěn)定性(重復(fù)精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強(qiáng)
-
可對(duì)應(yīng)任意距離
-
支持多層結(jié)構(gòu)(*多5層)
-
內(nèi)置NG數(shù)據(jù)消除功能
-
可進(jìn)行距離(形狀)測(cè)量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過(guò)測(cè)量測(cè)量范圍內(nèi)的光學(xué)距離
Point1:獨(dú)有技術(shù)
對(duì)應(yīng)廣范圍的薄膜厚度并實(shí)現(xiàn)高波長(zhǎng)分辨率。
采用大塚電子獨(dú)有技術(shù)制成緊湊機(jī)身。
Point2:高速對(duì)應(yīng)
即使是移動(dòng)物體也可利用準(zhǔn)確的間距測(cè)量,
是工廠生產(chǎn)線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對(duì)應(yīng)
從20微米的小斑點(diǎn)到
各種表面條件的樣品,都可進(jìn)行厚度測(cè)量。
Point4:各種環(huán)境都可對(duì)應(yīng)
因?yàn)?遠(yuǎn)可以從200 mm的位置進(jìn)行測(cè)量,
所以可根據(jù)目的和用途構(gòu)建測(cè)量環(huán)境。
測(cè)定項(xiàng)目
厚度測(cè)量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號(hào)
SF-3/200
SF-3/300
SF-3/1300
SF-3/BB
測(cè)量厚度范圍?
5~400
10~775
50~1300
5~775
樹(shù)脂厚度范圍?
10~1000
20~1500
100~2600
10~1500
*小取樣周期kHz(μsec)
5(200)※1
-
重復(fù)精度%
0.01%以下※2
測(cè)量點(diǎn)徑?
約φ20以上※3
測(cè)量距離mm
50.80.120※4.200※4
光源
半導(dǎo)體光源(クラス3B相當(dāng))
解析方法
FFT解析,*適化法※5
interface
LAN,I/O入輸出端子
電源
DC24V式樣(AC電源另行銷售)
尺寸mm
123×128×224
檢出器:320×200×300
光源:260×70×300
選配
各種距離測(cè)量探頭,電源部(AC用),**眼睛
鋁參考樣品,測(cè)量光檢出目標(biāo),光纖清理器
*1 : 測(cè)量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產(chǎn)品出貨基準(zhǔn)的保證值規(guī)格,是當(dāng)初基準(zhǔn)樣品AirGap約300μm和
約1000μm測(cè)量時(shí)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時(shí)的設(shè)計(jì)值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測(cè)量時(shí)使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構(gòu)成
測(cè)定例
貼合晶圓
Mapping結(jié)果
研削后300mm晶圓硅厚度
超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測(cè)量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實(shí)時(shí)、高精度測(cè)量晶圓和樹(shù)脂
產(chǎn)品詳細(xì)信息
特點(diǎn)
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非接觸式,非破壞性厚度測(cè)量
-
反射光學(xué)系統(tǒng)(可從一側(cè)接觸測(cè)量)
-
高速(*高5 kHz)實(shí)時(shí)評(píng)測(cè)
-
高穩(wěn)定性(重復(fù)精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強(qiáng)
-
可對(duì)應(yīng)任意距離
-
支持多層結(jié)構(gòu)(*多5層)
-
內(nèi)置NG數(shù)據(jù)消除功能
-
可進(jìn)行距離(形狀)測(cè)量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過(guò)測(cè)量測(cè)量范圍內(nèi)的光學(xué)距離
Point1:獨(dú)有技術(shù)
對(duì)應(yīng)廣范圍的薄膜厚度并實(shí)現(xiàn)高波長(zhǎng)分辨率。
采用大塚電子獨(dú)有技術(shù)制成緊湊機(jī)身。
Point2:高速對(duì)應(yīng)
即使是移動(dòng)物體也可利用準(zhǔn)確的間距測(cè)量,
是工廠生產(chǎn)線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對(duì)應(yīng)
從20微米的小斑點(diǎn)到
各種表面條件的樣品,都可進(jìn)行厚度測(cè)量。
Point4:各種環(huán)境都可對(duì)應(yīng)
因?yàn)?遠(yuǎn)可以從200 mm的位置進(jìn)行測(cè)量,
所以可根據(jù)目的和用途構(gòu)建測(cè)量環(huán)境。
測(cè)定項(xiàng)目
厚度測(cè)量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號(hào) | SF-3/200 | SF-3/300 | SF-3/1300 | SF-3/BB |
---|---|---|---|---|
測(cè)量厚度范圍? | 5~400 | 10~775 | 50~1300 | 5~775 |
樹(shù)脂厚度范圍? | 10~1000 | 20~1500 | 100~2600 | 10~1500 |
*小取樣周期kHz(μsec) | 5(200)※1 | - | ||
重復(fù)精度% | 0.01%以下※2 | |||
測(cè)量點(diǎn)徑? | 約φ20以上※3 | |||
測(cè)量距離mm | 50.80.120※4.200※4 | |||
光源 | 半導(dǎo)體光源(クラス3B相當(dāng)) | |||
解析方法 | FFT解析,*適化法※5 | |||
interface | LAN,I/O入輸出端子 | |||
電源 | DC24V式樣(AC電源另行銷售) | |||
尺寸mm | 123×128×224 |
檢出器:320×200×300 光源:260×70×300 |
||
選配 |
各種距離測(cè)量探頭,電源部(AC用),**眼睛 鋁參考樣品,測(cè)量光檢出目標(biāo),光纖清理器 |
*1 : 測(cè)量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產(chǎn)品出貨基準(zhǔn)的保證值規(guī)格,是當(dāng)初基準(zhǔn)樣品AirGap約300μm和
約1000μm測(cè)量時(shí)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時(shí)的設(shè)計(jì)值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測(cè)量時(shí)使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構(gòu)成
測(cè)定例
貼合晶圓
Mapping結(jié)果
研削后300mm晶圓硅厚度
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