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超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實時、高精度測量晶圓和樹脂
產品詳細信息
特點
-
非接觸式,非破壞性厚度測量
-
反射光學系統(可從一側接觸測量)
-
高速(*高5 kHz)實時評測
-
高穩定性(重復精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強
-
可對應任意距離
-
支持多層結構(*多5層)
-
內置NG數據消除功能
-
可進行距離(形狀)測量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過測量測量范圍內的光學距離
Point1:獨有技術
對應廣范圍的薄膜厚度并實現高波長分辨率。
采用大塚電子獨有技術制成緊湊機身。
Point2:高速對應
即使是移動物體也可利用準確的間距測量,
是工廠生產線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對應
從20微米的小斑點到
各種表面條件的樣品,都可進行厚度測量。
Point4:各種環境都可對應
因為*遠可以從200 mm的位置進行測量,
所以可根據目的和用途構建測量環境。
測定項目
厚度測量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號
SF-3/200
SF-3/300
SF-3/1300
SF-3/BB
測量厚度范圍?
5~400
10~775
50~1300
5~775
樹脂厚度范圍?
10~1000
20~1500
100~2600
10~1500
*小取樣周期kHz(μsec)
5(200)※1
-
重復精度%
0.01%以下※2
測量點徑?
約φ20以上※3
測量距離mm
50.80.120※4.200※4
光源
半導體光源(クラス3B相當)
解析方法
FFT解析,*適化法※5
interface
LAN,I/O入輸出端子
電源
DC24V式樣(AC電源另行銷售)
尺寸mm
123×128×224
檢出器:320×200×300
光源:260×70×300
選配
各種距離測量探頭,電源部(AC用),**眼睛
鋁參考樣品,測量光檢出目標,光纖清理器
*1 : 測量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產品出貨基準的保證值規格,是當初基準樣品AirGap約300μm和
約1000μm測量時的相對標準偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時的設計值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測量時使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構成
測定例
貼合晶圓
Mapping結果
研削后300mm晶圓硅厚度
超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實時、高精度測量晶圓和樹脂
產品詳細信息
特點
-
非接觸式,非破壞性厚度測量
-
反射光學系統(可從一側接觸測量)
-
高速(*高5 kHz)實時評測
-
高穩定性(重復精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強
-
可對應任意距離
-
支持多層結構(*多5層)
-
內置NG數據消除功能
-
可進行距離(形狀)測量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過測量測量范圍內的光學距離
Point1:獨有技術
對應廣范圍的薄膜厚度并實現高波長分辨率。
采用大塚電子獨有技術制成緊湊機身。
Point2:高速對應
即使是移動物體也可利用準確的間距測量,
是工廠生產線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對應
從20微米的小斑點到
各種表面條件的樣品,都可進行厚度測量。
Point4:各種環境都可對應
因為*遠可以從200 mm的位置進行測量,
所以可根據目的和用途構建測量環境。
測定項目
厚度測量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號
SF-3/200
SF-3/300
SF-3/1300
SF-3/BB
測量厚度范圍?
5~400
10~775
50~1300
5~775
樹脂厚度范圍?
10~1000
20~1500
100~2600
10~1500
*小取樣周期kHz(μsec)
5(200)※1
-
重復精度%
0.01%以下※2
測量點徑?
約φ20以上※3
測量距離mm
50.80.120※4.200※4
光源
半導體光源(クラス3B相當)
解析方法
FFT解析,*適化法※5
interface
LAN,I/O入輸出端子
電源
DC24V式樣(AC電源另行銷售)
尺寸mm
123×128×224
檢出器:320×200×300
光源:260×70×300
選配
各種距離測量探頭,電源部(AC用),**眼睛
鋁參考樣品,測量光檢出目標,光纖清理器
*1 : 測量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產品出貨基準的保證值規格,是當初基準樣品AirGap約300μm和
約1000μm測量時的相對標準偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時的設計值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測量時使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構成
測定例
貼合晶圓
Mapping結果
研削后300mm晶圓硅厚度
超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實時、高精度測量晶圓和樹脂
產品詳細信息
特點
-
非接觸式,非破壞性厚度測量
-
反射光學系統(可從一側接觸測量)
-
高速(*高5 kHz)實時評測
-
高穩定性(重復精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強
-
可對應任意距離
-
支持多層結構(*多5層)
-
內置NG數據消除功能
-
可進行距離(形狀)測量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過測量測量范圍內的光學距離
Point1:獨有技術
對應廣范圍的薄膜厚度并實現高波長分辨率。
采用大塚電子獨有技術制成緊湊機身。
Point2:高速對應
即使是移動物體也可利用準確的間距測量,
是工廠生產線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對應
從20微米的小斑點到
各種表面條件的樣品,都可進行厚度測量。
Point4:各種環境都可對應
因為*遠可以從200 mm的位置進行測量,
所以可根據目的和用途構建測量環境。
測定項目
厚度測量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號
SF-3/200
SF-3/300
SF-3/1300
SF-3/BB
測量厚度范圍?
5~400
10~775
50~1300
5~775
樹脂厚度范圍?
10~1000
20~1500
100~2600
10~1500
*小取樣周期kHz(μsec)
5(200)※1
-
重復精度%
0.01%以下※2
測量點徑?
約φ20以上※3
測量距離mm
50.80.120※4.200※4
光源
半導體光源(クラス3B相當)
解析方法
FFT解析,*適化法※5
interface
LAN,I/O入輸出端子
電源
DC24V式樣(AC電源另行銷售)
尺寸mm
123×128×224
檢出器:320×200×300
光源:260×70×300
選配
各種距離測量探頭,電源部(AC用),**眼睛
鋁參考樣品,測量光檢出目標,光纖清理器
*1 : 測量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產品出貨基準的保證值規格,是當初基準樣品AirGap約300μm和
約1000μm測量時的相對標準偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時的設計值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測量時使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構成
測定例
貼合晶圓
Mapping結果
研削后300mm晶圓硅厚度
超高速分光干渉式膜厚儀
以非接觸方式測量晶圓等的研磨和拋光工藝,超高速、實時、高精度測量晶圓和樹脂
產品詳細信息
特點
-
非接觸式,非破壞性厚度測量
-
反射光學系統(可從一側接觸測量)
-
高速(*高5 kHz)實時評測
-
高穩定性(重復精度低于0.01%)
-
耐粗糙度強
-
可對應任意距離
-
支持多層結構(*多5層)
-
內置NG數據消除功能
-
可進行距離(形狀)測量(使用配件嵌入式傳感器)*
*通過測量測量范圍內的光學距離
Point1:獨有技術
對應廣范圍的薄膜厚度并實現高波長分辨率。
采用大塚電子獨有技術制成緊湊機身。
Point2:高速對應
即使是移動物體也可利用準確的間距測量,
是工廠生產線的理想選擇。
Point3:各種表面條件的樣品都可對應
從20微米的小斑點到
各種表面條件的樣品,都可進行厚度測量。
Point4:各種環境都可對應
因為*遠可以從200 mm的位置進行測量,
所以可根據目的和用途構建測量環境。
測定項目
厚度測量(5層)
用途
各種厚膜的厚度
式樣
型號 | SF-3/200 | SF-3/300 | SF-3/1300 | SF-3/BB |
---|---|---|---|---|
測量厚度范圍? | 5~400 | 10~775 | 50~1300 | 5~775 |
樹脂厚度范圍? | 10~1000 | 20~1500 | 100~2600 | 10~1500 |
*小取樣周期kHz(μsec) | 5(200)※1 | - | ||
重復精度% | 0.01%以下※2 | |||
測量點徑? | 約φ20以上※3 | |||
測量距離mm | 50.80.120※4.200※4 | |||
光源 | 半導體光源(クラス3B相當) | |||
解析方法 | FFT解析,*適化法※5 | |||
interface | LAN,I/O入輸出端子 | |||
電源 | DC24V式樣(AC電源另行銷售) | |||
尺寸mm | 123×128×224 |
檢出器:320×200×300 光源:260×70×300 |
||
選配 |
各種距離測量探頭,電源部(AC用),**眼睛 鋁參考樣品,測量光檢出目標,光纖清理器 |
*1 : 測量條件以及解析條件不同,*小取樣周期也不同。
*2 : 是產品出貨基準的保證值規格,是當初基準樣品AirGap約300μm和
約1000μm測量時的相對標準偏差( n = 20 )
*3 : WD50mm探頭式樣時的設計值
*4 : 特別式樣
*5 : 薄膜測量時使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構成
測定例
貼合晶圓
Mapping結果
研削后300mm晶圓硅厚度