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產品詳情

  • 產品名稱：日本DNK科研曝光機MA-4000光刻機

  • 產品型號： MA-4000
  • 產品廠商：DNK 科研
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簡單介紹：
主要特長 采用獨自的平行調整機構,能夠高精度地設定掩膜與Wafer間的近接間隙。 利用獨自的高速圖像處理技術,實現高精度的對位。 利用圖像處理技術,使預對位可對應薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項)。 利用獨自的接觸壓力精密控制機構,能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。 通過Wafer的背面真空吸著方式,實現高速度和高精度以及穩定的自動搬送
詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″ 

光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M   材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對應曝光裝置MA-5301ML  光源超高壓汞燈：3.5kW  ?200mm規格也可對應

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E  曝光掃描速度22.5mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205  曝光掃描速度9/4.5mm/s  有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規格

MA-4000
Wafer尺寸 ?2～4″ ?4～6″
掩膜尺寸 □5″ □7″
光源 超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量 本體尺寸 W1340 x D1430 x H1900mm
本體重量 1120kg
選購項 生產管理系統(D-Net)、背面對位、○□基板兼用

※基板尺寸和水銀燈瓦數及特殊規格可商洽


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