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產品詳情

  • 產品名稱：日本DNK科研曝光機MA-4301M光刻機

  • 產品型號： MA-4301M
  • 產品廠商：DNK 科研
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簡單介紹：
主要特長 利用本公司開創的高速圖像處理技術, 實現了Wafer與掩膜的高精度對位。 裝載機側和卸載機側*多可設置兩個籃具（選購項）。 備有冷卻機構，可進行基板臺與掩膜的溫度管理（選購項）。 搭載本公司開創的鏡面光學系統爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實現了照射面內的均勻性以及高照度。 搭載非接觸預對位系統（PREALIGNER）。從而實現了高精度進給且保證基板不受任何損傷。 搭載有自動掩膜更換機。并可支持掩膜存放庫。
詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″ 

光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M   材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對應曝光裝置MA-5301ML  光源超高壓汞燈：3.5kW  ?200mm規格也可對應

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E  曝光掃描速度22.5mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205  曝光掃描速度9/4.5mm/s  有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規格

  MA-4301M
Wafer尺寸 材料 Si,Glass
尺寸 Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm
Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm
節拍時間 Proximity exposure：19 s/wafer
(One parallelism compensation per lot)
對位精度 自動對位：+/- 1 μm
(Peak search)
間隙 1 to 200 μm Servo motor
Setup resolution：1 μm
曝光方式 Soft contact exposure
Hard contact exposure
Proximity exposure
尺寸?重量 本體尺寸：W 1800 x D 1650 x H 2015 mm
總重量(including lamp house)：1400 kg

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