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產品詳情

  • 產品名稱：日本DNK科研曝光機MX-1201光刻機

  • 產品型號： MX-1201
  • 產品廠商：DNK 科研
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簡單介紹：
主要特長 能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″ 

光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M   材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對應曝光裝置MA-5301ML  光源超高壓汞燈：3.5kW  ?200mm規格也可對應

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E  曝光掃描速度22.5mm/s  有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205  曝光掃描速度9/4.5mm/s  有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規格

型式 MX-1201 MX-1201E MX-1205
*小線幅 (※1) [μm] 5 3 2 1
數據分辨率 [μm] 0.488 0.25 0.1 0.05
*大基板尺寸 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
有效曝光范圍 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
激光主波長 [nm] 405 375 405 + 375 405 375 375
曝光掃描速度 [mm/s] 43.94 22.5 9 4.5
節拍時間 [s,min] 180 [s] 320 [s] 16 [min] 27 [min]
*大曝光量 [mJ/c㎡] 245 70 245 + 70 460 135 50 100

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