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產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設(shè)備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。
詳情介紹：
概述
PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設(shè)備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。 獨(dú)特的自偏置方法可實(shí)現(xiàn)從薄膜到厚膜的低應(yīng)力高質(zhì)量氧化硅膜的沉積。 它是支持 ±4 英寸的研發(fā)設(shè)備。
特點(diǎn)
緊湊設(shè)計
專為直徑高達(dá) ±4 英寸的晶圓而設(shè)計，采用緊湊的設(shè)備設(shè)計，節(jié)省空間。
高速沉積和應(yīng)力控制
采用獨(dú)特的自偏置方法，可在100nm/min以上的高速、低應(yīng)力下進(jìn)行成膜。
低溫沉積
可在 80°C 的低溫下沉積。
階梯覆蓋性優(yōu)異的成膜
使用液體源 TEOS 的 LSCVD® 方法可實(shí)現(xiàn)具有出色步進(jìn)覆蓋和嵌入特性的沉積。
控制折射率
通過添加 Ge、P 和 B 液體源，可以控制折射率。
應(yīng)用示例
SAW 器件的溫度補(bǔ)償膜和鈍化膜
MEMS 面罩和氧化膜犧牲層
3D 封裝中 TSV（Si 通孔）側(cè)壁的絕緣膜
光波導(dǎo)的核心層和包層形成
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