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日本MIKASA|涂布機、勻膠機、旋轉涂膜儀|中國代理店塔瑪薩崎電子(蘇州)有限公司

日期:2024-10-16 07:12
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摘要:日本MIKASA|涂布機、勻膠機|中國代理店塔瑪薩崎電子(蘇州)有限公司
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時,若采用適當?shù)挠羞x擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來,而未曝光被溶解,該涂層材料為負性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產技術較為復雜,品種規(guī)格較多,在電子工業(yè)集成電路的制造中,對所使用光刻膠有嚴格的要求
MIKASA米卡薩 旋轉涂布機蝕刻機光刻機 半導體晶圓涂抹MS-B150

日本MIKASA|涂布機、勻膠機|中國代理店塔瑪薩崎電子(蘇州)有限公司

日本MIKASA旋轉涂布機MS-A150/MS-B150現(xiàn)貨現(xiàn)貨
旋轉涂膜儀




滴液裝置可選組件 吸盤

●MS-B100/ MS-B150

●MS-B200

●MS-B300

●MS-B200 (密閉型)

●MS-B300 (密閉型)

日本MIKASA光刻機




●MA-10

●MA-20

●MA-60F

●M-2LF

●M-1S

日本MIKASA曝光,將光掩膜與晶園重合,復制電路圖案。
日本MIKASA顯影、蝕刻裝置DeveloperEtching

去除曝光部位(正膠)的光刻膠。
●AD-1200

●AD-3000

●PD-1000

日本MIKASA蝕刻裝置





蝕刻裝置

●ED-1200

●ED-3000

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